Češka (čeština) angleščina Nemčija (Deutsch) Avstrija (Deutsch) Švica (Deutsch) Slovaška (slovenčina) Madžarska (magyar) Romunija (Română) Francija (français) Italija (italiano) Poljska (polski) Estonija (eesti keel) Rusija (pусский) Španija (español) Slovenija (slovenščina) Hrvaška (hrvatski) Bolgarija (български)
Nimate izdelkov v košarici

MSCSM120AM02CT6LIAG

MOSFET 1200V Full SiC MOS + SiC Diode

!_prilohy_!:
Kliknite za povečavo
MSCSM120AM02CT6LIAG Microsemi / Microchip Technology
MSCSM120AM02CT6LIAG Microsemi / Microchip Technology
kos
ID Code:185251
Proizvajalec:Microsemi / Microchip Technology
Cena z DDV : 1 724,8024 €
Cena brez DDV : 1 425,4566 €
VAT:21 %
Razpoložljivost:na zahtevo
Skupne zaloge:0 kos
Označevanje proizvajalec: MSCSM120AM02CT6LIAG
Centralno skladišče Zdice: 0 kos
Zunanji pomnilnik (dobavni rok od 5÷10 dni): 0 kos
Enota:: kos
!_prehled mnozstevnich slev_!
KoličinaCena brez DDVCena z DDV
1 + 1 425,4566 €1 724,8024 €
3 + 1 282,8998 €1 552,3088 €
MOSFET 1200V Full SiC Very Low Stray Inductance Phase Leg SiCThe following are the features of MSCSM120AM02CT6LIAG device:
. SiC power MOSFET
. Low RDS(on)
. High temperature performance
. SiC Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Very low stray inductance
. Internal thermistor for temperature monitoring
. M4 and M5 power connectors
. M2.5 signals connectors
. AlN substrate for improved thermal performance

Osnovni podatki:

Označevanje proizvajalecMSCSM120AM02CT6LIAG 
Type of casing:MODUL 
Zadeva:!_modul-t6li_! 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Vrsta komponente:!_n-mosfet_! 
Konfiguracija:!_half bridge_! 
Vrsta materiala:!_sic full_! 
Material BaseCu 
RoHSDa 
REACHDa 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Embalaža in teža:

Enota:kos 
Teža:320 [g]
Majhen paket (število enot):

Elektrofizični parametri:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)947 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)947 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)754 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)1200 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)3750  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)2.6 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf (turn-off=fall time)67 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.06 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)2784 [nC]
Cin/CL Load Capacitance36240 pF

Toplotno in mehansko parametri:

Tmin (najnižja delovna temperatura)-40 [°C]
Tmax (najvišja delovna temperatura)175 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.04 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.109 [°C/W]
PIN dimenzije0.00 [mm]

!_souvisejici zbozi_! - MSCSM120AM02CT6LIAG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm
ID: 176035   Oznako proizvajalca: F05-AL2-62x106mm  
Količina [kos]1+10+
EUR/kos1,66021,5864
Skupne zaloge: 914
Proizvajalec: -  
RoHS
Vse cene so navedene brez DDV in ne vključujejo stroške dostave, ki bo dodan vrstni red kot posebna postavka.

Vaša poizvedba MSCSM120AM02CT6LIAG

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Vaša poizvedba:*
Prosimo prepišete kodo:* antispam
     Če želite več informacij

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Prosim Prepišite kodo s slike antispam
Copyright © www.semic-shop.si by Shop5.cz

© www.semic-shop.si

Pri zagotavljanju storitev nam piškotkov. Z uporabo naših storitev se strinjate, da naše uporabo piškotkov.   Če želite več informacij