Češka (čeština) angleščina Nemčija (Deutsch) Avstrija (Deutsch) Švica (Deutsch) Slovaška (slovenčina) Madžarska (magyar) Romunija (Română) Francija (français) Italija (italiano) Poljska (polski) Estonija (eesti keel) Rusija (pусский) Španija (español) Slovenija (slovenščina) Hrvaška (hrvatski) Bolgarija (български)
Nimate izdelkov v košarici

MSCSM120AM027CD3AG

MOSFET 1200V Full SiC MOS + SIC Diode

!_prilohy_!:
Kliknite za povečavo
MSCSM120AM027CD3AG Microchip Technology - Microsemi
MSCSM120AM027CD3AG Microchip Technology - Microsemi
kos
ID Code:185288
Proizvajalec:Microchip Technology - Microsemi
Cena z DDV : 1 632,1375 €
Cena brez DDV : 1 348,8740 €
VAT:21 %
Razpoložljivost:na zahtevo
Skupne zaloge:0 kos
Označevanje proizvajalec: MSCSM120AM027CD3AG
Centralno skladišče Zdice: 0 kos
Zunanje skladišče (dobavni rok od 5÷10 dni): 0 kos
Enota:: kos
!_prehled mnozstevnich slev_!
KoličinaCena brez DDVCena z DDV
1 + 1 348,8740 €1 632,1375 €
5 + 1 292,6906 €1 564,1557 €
10 + 1 236,4678 €1 496,1260 €
25 + 1 180,2845 €1 428,1442 €
MOSFET 1200V Full SiC Low Stray Inductance Phase Leg SiC The following are the features of
. SiC Power MOSFET
. Very Low RDS(on)
. High temperature performance
. Silicon carbide (SiC) Schottky diode
. Zero reverse recovery
. Zero forward recovery
. Temperature-independent switching behavior
. Positive temperature coefficient on VF
. Kelvin source for easy drive
. Low stray inductance
. M6 power connectors
. Aluminum nitride (AlN) substrate for improved thermal performance

Osnovni podatki:

Označevanje proizvajalecMSCSM120AM027CD3AG 
Type of casing:MODUL 
Zadeva:SEMITRANS-3 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Vrsta komponente:!_n-mosfet_! 
Konfiguracija:!_half bridge_! 
Vrsta materiala:!_sic full_! 
Material BaseCu 
RoHSDa 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 
UL94V-0 

Embalaža in teža:

Enota:kos 
Teža:350 [g]
Tip embalaže:BOX 
Majhen paket (število enot):

Elektrofizični parametri:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)733 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)733 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)584 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
IR (reverse current)1800 [µA]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)2970  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)3.5 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)90 [ns]
tr (Turn-on / rise time)55 [ns]
tf (turn-off=fall time)67 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.06 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)2088 [nC]
Cin/CL Load Capacitance27000 pF

Toplotno in mehansko parametri:

Tmin (najnižja delovna temperatura)-40 [°C]
Tmax (najvišja delovna temperatura)175 [°C]
Rthjc (case)0.075 [°C/W]
Rthjc1 IGBT0.07 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor0.175 [°C/W]
PIN dimenzije0.00 [mm]

Alternative in zamenjave

Alternativa 1:180902 - CAS120M12BM2 (WOL) 
Alternativa 2:174576 - SKM350MB120SCH17 (SMK) 
Alternativnih proizvodov 1:MD400HFR120C2S 
Alternativnih proizvodov 2:FF2MR12KM1 

!_souvisejici zbozi_! - MSCSM120AM027CD3AG

I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL I+SEMITRANS3- 62x106=005W-AL   Thermally Conductive Pad for insulated Packages as SEMITRANS-3 and in size 62x106mm
ID: 176035   Oznako proizvajalca: F05-AL2-62x106mm  
Količina [kos]1+10+50+100+
EUR/kos1,77801,69891,65941,4619
Skupne zaloge: 534
Proizvajalec: -  
RoHS
Vse cene so navedene brez DDV in ne vključujejo stroške dostave, ki bo dodan vrstni red kot posebna postavka.

Vaša poizvedba MSCSM120AM027CD3AG

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Vaša poizvedba:*
Prosimo prepišete kodo:* antispam
     Če želite več informacij

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Prosim Prepišite kodo s slike antispam

Pri zagotavljanju storitev nam piškotkov. Z uporabo naših storitev se strinjate, da naše uporabo piškotkov.   Če želite več informacij