Češka (čeština) angleščina Nemčija (Deutsch) Avstrija (Deutsch) Švica (Deutsch) Slovaška (slovenčina) Madžarska (magyar) Romunija (Română) Francija (français) Italija (italiano) Poljska (polski) Estonija (eesti keel) Rusija (pусский) Španija (español) Slovenija (slovenščina) Hrvaška (hrvatski) Bolgarija (български)
Nimate izdelkov v košarici

MSCSM120A10CT1AG

Full SiC MOSFET 1200V / 24A

!_prilohy_!:
Kliknite za povečavo
MSCSM120A10CT1AG Microchip Technology - Microsemi
MSCSM120A10CT1AG Microchip Technology - Microsemi
MSCSM120A10CT1AG Microchip Technology - Microsemi
kos
ID Code:186233
Proizvajalec:Microchip Technology - Microsemi
Cena z DDV : 97,3240 €
Cena brez DDV : 80,4331 €
VAT:21 %
Razpoložljivost:na zahtevo
Skupne zaloge:0 kos
Označevanje proizvajalec: MSCSM120A10CT1AG
Centralno skladišče Zdice: 0 kos
Zunanje skladišče (dobavni rok od 5÷10 dni): 0 kos
Enota:: kos
!_prehled mnozstevnich slev_!
KoličinaCena brez DDVCena z DDV
1 + 80,4331 €97,3240 €
3 + 78,5433 €95,0374 €
5 + 77,5984 €93,8941 €
10 + 76,6535 €92,7508 €
• SiC Power MOSFET - High speed switching, - Low RDS(on), - Ultra low loss
• SiC Schottky Diode, - Zero reverse recovery, - Zero forward recovery, - Temperature Independent switching behavior, - Positive temperature coefficient on VF
• Very low stray inductance
• Internal thermistor for temperature monitoring
• High level of integration
• AlN substrate for improved thermal performance

Osnovni podatki:

Označevanje proizvajalecMSCSM120A10CT1AG 
Type of casing:MODUL 
Zadeva:!_modul-sp1f_! 
KategorieFull SiC (MOS+D) 
Konfiguracija:!_half bridge_! 
Vrsta materiala:!_sic_! 
RoHSDa 
REACHNe 
NOVINKA
RoHS1Ano 

Embalaža in teža:

Enota:kos 
Teža:80 [g]
Tip embalaže:BOX 
Majhen paket (število enot):10 

Elektrofizični parametri:

Udc (URRM, UCEO, Umax) 1200 [V]
Idc max (Tc/Ta=25÷160°C)30 [A]
Idc max (Tc/Ta=25°C)30 [A]
Idc max (Tc/Ta=80÷89°C)24 [A]
Uisol (@25°C/1min/50Hz)4000 [V]
UF (maximum forward voltage)1.8 [VDC]
Pd -s chladičem (Tc=25°C)146  [W]
Input Logic Level (Ugs level)20V 
Rds(on) 10V (Ugs=10V)100 [mΩ]
trr recovery time (If=Inom.,@25°C)31 [ns]
tr (Turn-on / rise time)30 [ns]
tf (turn-off=fall time)25 [ns]
Ft (transition/operation frequency) (@Inom.)0.05 [MHz]
Qg (Total Gate Charge)64 [nC]
Cin/CL Load Capacitance838 pF

Toplotno in mehansko parametri:

Tmin (najnižja delovna temperatura)-40 [°C]
Tmax (najvišja delovna temperatura)150 [°C]
Rthjc1 IGBT1.03 [°C/W]
Rthjc2 Dioda, Tyristor1.55 [°C/W]
PIN dimenzije0.00 [mm]

Vaša poizvedba MSCSM120A10CT1AG

!_vase jmeno, prijmeni, firma_!:*
!_vas email_!:*
!_vas telefon_!:*
Vaša poizvedba:*
Prosimo prepišete kodo:* antispam
     Če želite več informacij

!_poslete odkaz svemu znamenu_!

!_vase jmeno_!
!_vas email_!
!_email vaseho znameho_!
Prosim Prepišite kodo s slike antispam

Pri zagotavljanju storitev nam piškotkov. Z uporabo naših storitev se strinjate, da naše uporabo piškotkov.   Če želite več informacij